据知情人士透露，国务院副总理刘鹤将是该项“芯片对抗”计划的主要负责人，该计划包括庞大的投资组合，涵盖贸易、金融和技术。目前已被率先用于推动发展第三代半导体芯片，并正在领导制定一系列对该技术的金融和政策支持。

资料显示，与以Si、Ge为代表的第一代半导体和以GaAs、InP为代表的第二代半导体相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。

GaN和SiC则是第三代半导体材料的代表，他们都具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满足现代电子技术对高温高频、 高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求，先天性能优越。

第三代半导体下游应用领域广阔，据CASA Research数据，消费类电源、工业及商业电源、不间断电源UPS和新能源汽车为SiC、GaN电子电力器件的前四大应用领域，分别占比28%、26%、13%和11%。另外在通讯领域，基于第三代半导体的射频器件也有着极为重要的地位。

随着下游终端需求不断增长，第三代半导体的需求亦有望持续释放。同时叠加国家政策对第三代半导体发展的大力支持，行业潜在市场空间巨大，据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。

更为关键的是，目前第三代半导体是一个新兴领域，它依赖于传统硅以外的更新的材料和设备，目前是一个没有任何公司或国家占据主导地位的领域，这也为中国提供了避开美国及其盟友对其芯片制造行业设置的障碍的最佳机会之一。

此前，美国上任总体特朗普在任期内，持续通过实体清单打压中国科技企业，比如多次升级对于华为的制裁，已经限制了华为旗下海思半导体从晶圆代工厂获得先进制程芯片。在拜登政府上台之后，也延续了特朗普政策，大力发展美国半导体制造，同时进一步联合其盟友意图组建排华半导体供应链。美国的持续打压严重阻碍了中国的半导体产业的发展，以及中国半导体供应链安全。

中国目前是全球最大的芯片消耗国，半导体供应链安全对于中国来说极为重要。

此次，刘鹤直接负责中国的芯片工作，突显了中国政府对于半导体产业的重视程度，随着美国、日本、韩国以及欧盟等都开始争相加盟支持本土半导体产业，这对于中国来说也变得越来越紧迫。

根据一份政府声明显示，今年5月，刘鹤牵头召开了技术工作组会议，讨论了发展第三代半导体技术的方法。

这位69岁的副总理自2018年以来一直领导中国的技术改革工作组，他也在监督可能推动传统芯片制造突破的项目，包括开发中国自己的芯片设计软件和极紫外光刻机。

报道称，刘鹤领导的这项“芯片对抗”计划，已预留了约1万亿美元的政府资金，其中一部分将由中央和地方政府共同投资于一系列第三代芯片项目。

顶级芯片制造商和研究机构向科技部和工业信息化部提交提案，都在争夺国家计划和融资份额。根据一份政府文件，科技部计划向包括第三代芯片在内的一些关键“战略电子材料”注资4亿元人民币（6200万美元）。

甚至登月芯片计划也需要政府资助。国家支持的中国国家自然科学基金委员会已承诺为数十项探索性研究项目提供资金支持，从超低功耗到开发可以收集和传输神经信号的柔性芯片。

其中一位知情人士说，已经受到美国制裁的中国电子科技集团公司和中国铁建的几家子公司是支持这项努力的国家支持公司之一。另一家与政府有关联的巨头中国电子集团公司是第三代半导体芯片开发的领导者之一，这得益于其对包括CEC Semiconductor Co. 在内的小型公司的投资。CEC Semiconductor利用自己的内部技术生产基于碳化硅的可在200摄氏度下工作的功率器件，适用于从电信到电动汽车的多个关键行业——减少中国对英飞凌、罗姆和科锐等海外供应商的依赖。

协调这个庞大的芯片计划的任务现在落在了刘鹤身上，他必须跟踪相关资源并推动国家战略，帮助中国实现芯片独立。

在今年5月底的一场会议上，刘鹤表示，“对我们国家来说，技术和创新不仅仅是增长的问题，这也是一个生存问题。”